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RAM动态MOS存储单元进行什么操作()以免存储信息的丢失?A充电B

归档日期:07-07       文本归类:动态分析器      文章编辑:爱尚语录

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  展开全部RAM按其结构和工作原理分为静态RAM即SRAM(static RAM)和动态RAM即DRAM(dynamic RAM)。 SRAM速度快,不需要刷新,但片容量低,功耗大。 DRAM片容量高,但需要刷新,否则其中的信息就会丢失。

  DRAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的,它将晶体管结电容的充电状态和放电状态分别作为1和0。

  DRAM的基本单元电路简单,最简单的DRAM单元只需一个管子构成,这使DRAM器件的芯片容量很高,而且功耗低。但是由于电容会逐渐放电,所以对DRAM必须不断进行读出和再写入,以使泄放的电荷得到补充,也就是刷新。一次刷新过程实际上就是对存储器进行一次读取、放大和再写入。

  它由一个MOS管T1和位于其栅极上的分布电容c构成。当栅极电容C上充有电荷时,表示该存储单元保存信息“1”。反之,当栅极电容上没有电荷时,表示该单元保存信息“0”。由于栅极电容上的充电与放电是两个对立的状态,因此,它可以作为一种基本的存储单元。

  当执行写操作时,字选择线管导通,写信号通过位线存入电容C中。当执行读操作时,字选择线仍为高电平,存储在电容C上的电荷,通过T1输出到数据线上,通过读出放大器,即可得到所保存的信息。当执行刷新操作时,动态RAM存储单元实质上是依靠T1管栅极电容的充放电原理来保存信息的。时间一长,电容上所保存的电荷就会泄漏,造成了信息的丢失。因此,在动态RAM的使用过程中,必须及时地向保存“1”的那些存储单元补充电荷,以维持信息的存在。这一过程,就称为动态存储器的刷新操作

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